一种二硫化钼二维原子晶体控制合成的新方法

二硫化钼二维原子晶体是一种新兴的二维半导体材料,具有优异的场效应性能,可以用作石墨烯的互补材料,在纳电子器件领域具有重要的应用前景。其实用化的关键是实现高质量二硫化钼原子晶体的可控合成。针对这一问题,清华大学化学系的焦丽颖副教授课题组提出了基于逐层表面硫化思路的二硫化钼二维原子晶体控制合成方法,利用单晶二氧化钼作为原材料,实现了高结晶性二硫化钼薄片的层数控制合成。他们进而将合成得到的材料制备成为场效应晶体管,其性能与机械剥离法得到的二硫化钼所构建的晶体管相比拟。这一合成方法为进一步探索二硫化钼二维原子晶体的新奇物性及应用研究奠定了基础。相关工作发表在J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 5304,并被J. Am. Chem. Soc.作为Spotlights 报道(J.Am.Chem.Soc. 2013, 135, 5475)。